在400V低壓中，我們常選擇低壓無功補償柜來補償無功，提高功率因數(shù)。而電容器、電抗器、控制器和投切開關(guān)就是包含在低壓無功補償柜中的重要元件。這里重點講一下投切開關(guān)的選擇問題。

     投切開關(guān)里包含三類：電容器投切接觸器、晶閘管開關(guān)、復(fù)合開關(guān)。

     不同的投切開關(guān)他的響應(yīng)速度是不一樣的。可控硅開關(guān)投切速度快，接觸器的響應(yīng)速度慢。不同的投切開關(guān)會影響電容器的涌流，以可控硅為基礎(chǔ)的投切開關(guān)限制涌流在3％以內(nèi)，接觸器是20％以內(nèi)。

     不同投切開關(guān)會導(dǎo)致造價成本的差異。從價格角度上來講接觸器相對便宜，可控硅比較貴，從效果上接觸器是最差的，如果是要對涌流的抑制效果，接觸器是最差的，如果現(xiàn)場負(fù)載變化非常大，對無功的需求變化是非常大，需要無功補償需求能夠跟得上無功補償?shù)淖兓@時可控硅是合適的。

     小結(jié)：價格是不一樣，一般來講接觸器是最便宜，可控硅是最貴；但又希望開關(guān)快速投切，所以只要討論無功補償方案，一定要考慮現(xiàn)場負(fù)載情況和應(yīng)用場景。

     希拓電氣晶閘管投切模塊(單相)技術(shù)源自德國，我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進制造工藝的基礎(chǔ)上，研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，真正實現(xiàn)投切無涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負(fù)荷，平均響應(yīng)時間小于18ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。